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快科技10月5日消息,据媒体报道,台积电(TSMC)在2nm制程节点上取得了重大突破,将首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。此外,N2工艺还结合了NanoFlex技术,为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。 相较于当前的N3E工艺,N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升,或在相同频率下将功耗降低25%至30%。更令人瞩目的是,晶体管密度将提升15%,这标志着台积电在半导体技术领域的又一次飞跃。 然而,伴随着技术的升级,成本也相应攀